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SK海力士公布新款DRAM,称实现单晶圆存储量最大

来源:yobo体育app下载官网   发布时间:2022-04-19 05:38nbsp;  点击量:

本文摘要:在前进DRAM的生产技术上,三星、SK海力士和美光这三大玩家根本没暂停过行进的步伐。10月21日,SK海力士宣告了研发基于第三代1Z纳米(10nm)工艺的DDR4动态随机存储器(DRAM),称之为将构建单一芯片标准内世界仅次于容量的16GB,即在一张晶圆中能生产的存储量超过现存的DRAM中仅次于。

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在前进DRAM的生产技术上,三星、SK海力士和美光这三大玩家根本没暂停过行进的步伐。10月21日,SK海力士宣告了研发基于第三代1Z纳米(10nm)工艺的DDR4动态随机存储器(DRAM),称之为将构建单一芯片标准内世界仅次于容量的16GB,即在一张晶圆中能生产的存储量超过现存的DRAM中仅次于。

据报,新款1Z纳米DRAM反对高达3200Mbps的数据传输速率,超过DDR4规格内最低速度;同时在功耗方面,与上一代完全相同容量模组比起,减少了大约40%;此外,与上一代1Y纳米产品比起,其生产能力提高大约27%,因其需要便宜的极紫外(EUV)光刻护持,因此极具成本竞争优势。有一点认为的是,第三代产品用于了上一代生产过程中并未用于的新材料来减少电容,而随着电容的减少,存储数据的保有时间和一致性也不会减少,因而稳定性以求提高。对于产品的商用,SK海力士回应将在年内作好批量生产的打算,并于2020年开始全面供应,以积极响应市场需求。

此外,它计划将第三代1Z纳米级识工程技术扩展到多种应用领域,还包括下一代移动DRAMLPDDR5和最低末端DRAMHBM3等。


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